光伏濕凍試驗室

型號：	ETH08LD
更新時間：	2025-04-02

光伏濕凍試驗室是一種用于評估太陽能光伏組件在濕潤和低溫環境下的性能的實驗設施。該試驗室為研究人員提供了一個模擬真實氣候條件的環境，以測試和驗證光伏組件的可靠性和效率。

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產品詳細資料：

　　光伏濕凍試驗室旨在模擬惡劣氣候條件下的光伏組件性能，包括高濕度和低溫。通過這些試驗，可以評估光伏組件在濕潤和寒冷環境中的耐久性和輸出穩定性。

　　光伏濕凍試驗室是一個重要的實驗設施，用于評估光伏組件在濕潤和低溫環境下的性能。通過模擬真實的氣候條件，這些試驗提供了對光伏組件在惡劣環境中的可靠性和效率的全面評估。光伏濕凍試驗室在太陽能光

　　光伏濕凍試驗室是主要用與光伏行業，及太陽能行業的測試設備，用于測試光伏組件，主要是單晶硅組件，地面用晶體硅光伏組件，地面用薄膜光伏組件等一系列的光伏組件進行高溫、低溫、交變濕熱度或恒定試驗的溫度環境變化后的參數及性能，或恒定濕熱試驗的溫度環境變化后的參數及性能，適用于學校，工廠，軍工，研位，等單位。

　　滿足的試驗方法：

　　本產品滿足GB/T19394.-2003試驗;GB/T9535.-1998試驗;GB/T6492-1986、GB/T6494、GB/T6497、SJ/T2196;IEC61345-1998;IEC61646、IEC61215等國家標準，以及其它相關標準的要求。嚴格按GB10592—89《高低溫試驗箱技術條件》、GB10586-89《濕熱試驗箱技術條件》進行設計制造，同時符合IEC61215-2005溫度，濕熱相應標準參數可進行各種高低溫濕熱交變環境試驗。

　　IEC61646-薄膜地面光伏組件熱循環試驗、濕-凍試驗、濕-熱試驗

　　a.熱循環試驗

　　(目地:確定組件經受由于溫度重復變化而引起的熱失配、疲勞和不同的應力的能力)

　　使組件在-40℃±2℃和+85℃±2℃的溫度之間循環.溫度之間溫度變化不超過100℃/h

　　b.濕-凍試驗

　　(目地:確定組件經受高溫、高濕之后以及隨后的零下溫度影響的能力.)

　　使組件在溫度+85℃～25℃之間按照不大于100℃/h；25℃～-40℃不大于200℃/h的速率變化

　　c.濕-熱試驗

　　(目地:確定組件經受長期濕氣滲透的能力)

　　試驗溫度：85℃±2℃

　　試驗濕度：85%±5%

　　試驗時間：1000h

　　控制系統

　　光伏濕凍試驗箱采用真彩7.0英寸(WISO)智能型觸摸屏控制器.程序設置時只需設置溫度、時間相應參數即可，無須額外輸入壓縮機等開啟指令

　　控制器操作界面設中英文可供選擇，實時運轉曲線圖可由屏幕顯示；

　　具有100個程序記憶,每組100段100次循環，10組程序鏈接功能

　　可顯示執行程序號碼,段次,剩余時間及循環次數,運轉時間顯示

　　PID自動演算和FUZZY控制，具有數據采集,匯出,查看圖形功能

　　循環系統

　　光伏濕凍試驗箱制冷機采用德國“比澤爾”壓縮機。

　　冷凍系統采用單元或二元式低溫回路系統設計。

　　采用多翼式送風機強力送風循環，避免任何死角，可使測試區域內溫度分布均勻。

　　風路循環出風回風設計，風壓、風速均符合測試標準，并可使開門瞬間溫度回穩時間快。

　　升溫、降溫、系統*獨立可提高效率，降低測試成本，增長壽命，減低故障率。

　　規格與技術參數

性能指標	溫度范圍	-60℃～+100℃
	溫度波動度	±0.5℃
	溫度偏差	±2℃
	升、降溫速率	按照IEC 61646試驗標準(見第10條)
	濕度試驗	85℃，85% R.H
	濕度范圍	20%～95% R.H
	樣品承重	太陽能薄膜組件： 6片 180kg、鋁合金型材置物架：280kg
	試驗方法	a.熱循環試驗 b.濕-凍試驗 c.濕-熱試驗
	定時功能	0.1～999.9（H、M、S）可調
控制系統	控制器	真彩7.0英寸（北卡）智能型觸摸屏控制器
	精度范圍	設定/顯示分辨率:溫度：+ 0.1℃ 濕度：+ 0.1%RH
	定值斜率設定	溫度0～100℃每分鐘濕度0～9.9％RH每分鐘
	照明	箱內照明為高亮度低壓安全型節能燈
	加熱系統	不銹鋼裸線式電熱器（可長期在高溫高濕的環境下連續工作）
	制冷系統	法國原裝"泰康"全封閉風冷式單級/復迭壓縮機制冷方式
	加濕系統	不銹鋼電加濕器
使用材料	外箱材質	優質碳素鋼板.磷化靜電噴塑處理/SUS304不銹鋼霧面線條發紋處理
	內箱材質	SUS304不銹鋼優質鏡面光板
	保溫材質	高密度硬質Polyurethane 發泡（100mm）
	門框隔熱	高強度硅膠迫緊1條
安全保護		漏電、短路、超溫、電機過熱、壓縮機超壓、過載、過電流保護
電源電壓		AC380V±10％ 50±0.5Hz 三相五線制
使用環境溫度		5℃～＋30℃ ≤85％R.H
注： 1、以上數據均在環境溫度（QT）25℃.工作室無負載條件下測得 2、測量依據;量測SENSOR置放點,離內箱壁內尺寸1/10處

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